ГОСТ
Общероссийский классификатор стандартов → ЭЛЕКТРОНИКА → Полупроводниковые приборы *Полупроводниковые материалы см. 29.045 → Транзисторы
31.080.30. Транзисторы
- Транзисторы типов МП111, МП 111А, МП111Б, МП112, МП113, МП113А для устройств широкого применения
Transistors of mП111, mП111a, mП111, mП112, mП113, mП113a types for widely used devices - Транзисторы. Перечень основных и справочных электрических параметров
Transistors. List of basic and reference electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые транзисторы всех классов и устанавливает перечень основных и справочных электрических параметров - Транзисторы типа ГТ701А для устройств широкого применения
Transistors type Гt701a for wide using equipment - Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров - Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров
Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений - Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте - Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока
Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах - Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов
Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя;
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности - Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора
Transistors. Method for measuring collector reverse current
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА - Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера
Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current
Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА
Александра Петрова
Ведущий эксперт по сертификации с 10-летним опытом. Помогу решить любые вопросы по оформлению документов.
Telegram чат
Позвонить
🎉 Супер предложение
Для города действует скидка на оформление документов до -40%.
Узнать подробности